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单MOSFET晶体管 / NTMFS4898NFT3G
- 价格 起订量
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- 型号： NTMFS4898NFT3G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 描述： MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM
- 库存地点： 内地
- 库存： 106
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN, 5 Leads
- 引脚数：5
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13.2A Ta 117A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：930mW Ta 73.5W Tc
- Turn Off Delay Time：28 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 引脚数量：5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：73.5W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：17.6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3233pF @ 12V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：49.5nC @ 10V
- 上升时间：23ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：8.3 ns
- 连续放电电流(ID)：117A
- 阈值电压：1.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0048Ohm
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：234A
- 雪崩能量等级（Eas）：228 mJ
- 高度：1.1mm
- 长度：5.1mm
- 宽度：6.1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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