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MOSFETs 晶体管阵列 / ZXMC3AMCTA
- 价格 起订量
- ￥ 9.06820 1+
- ￥ 8.55491 10+
- ￥ 8.07067 100+
- ￥ 7.61384 500+
- ￥ 7.18286 1000+
- 型号： ZXMC3AMCTA
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-WDFN Exposed Pad
- 描述： Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 1594
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.06820
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-WDFN Exposed Pad
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.9A 2.1A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：11.3 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2010
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：210mOhm
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：1.7W
- 端子位置：DUAL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：8
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.45W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：1.5 ns
- 场效应管类型：N and P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：120m Ω @ 2.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：190pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.9nC @ 10V
- 上升时间：2.8ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：7.5 ns
- 连续放电电流(ID)：2.1A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7A
- 漏源击穿电压：-30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：13A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：780μm
- 长度：3.08mm
- 宽度：2.075mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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