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单MOSFET晶体管 / FDPF12N35

  • 价格 起订量
  • ¥ 5.52392 1+
  • ¥ 5.21124 10+
  • ¥ 4.91627 100+
  • ¥ 4.63799 500+
  • ¥ 4.37546 1000+
  • 型号: FDPF12N35
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-220-3 Full Pack
  • 描述: MOSFET N-CH 350V 12A TO-220F
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 1483
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 5.52392

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 底架:通孔
  • 安装类型:通孔
  • 包装/外壳:TO-220-3 Full Pack
  • 引脚数:3
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:12A Tc
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
  • Power Dissipation (Max):31.3W Tc
  • Turn Off Delay Time:35 ns
  • 操作温度:-55°C~150°C TJ
  • 包装:Tube
  • 系列:UniFET™
  • 已出版:2004
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 元素配置:Single
  • 功率耗散:31.3W
  • 场效应管类型:N-Channel
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:380m Ω @ 6A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:1110pF @ 25V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:25nC @ 10V
  • 上升时间:180ns
  • Vgs(最大值):±30V
  • 下降时间(典型值):60 ns
  • 连续放电电流(ID):12A
  • 栅极至源极电压(Vgs):30V
  • 漏源击穿电压:350V
  • RoHS状态:符合RoHS标准

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