简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FQD2N90TF
- 价格 起订量
- ￥ 5.79453 1+
- ￥ 5.46654 10+
- ￥ 5.15711 100+
- ￥ 4.86520 500+
- ￥ 4.58981 1000+
- 型号： FQD2N90TF
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 430
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.79453
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 质量：260.37mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.7A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 50W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：QFET®
- 已出版：2016
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电压 - 额定直流：900V
- 额定电流：1.7A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：15 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.2 Ω @ 850mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：500pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：15nC @ 10V
- 上升时间：35ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：30 ns
- 连续放电电流(ID)：1.7A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：900V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FQD2N90TF ON Semiconductor
STD2N95K5 STMicroelectronics- STD2N80K5 STMicroelectronics
IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies- FCD3400N80Z ON Semiconductor
