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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FCD3400N80Z
- 价格 起订量
- ￥ 16.59970 1+
- ￥ 15.66009 10+
- ￥ 14.77367 100+
- ￥ 13.93743 500+
- ￥ 13.14851 1000+
- 型号： FCD3400N80Z
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： TAPE REEL / S FET2 800V 850 O Z
- 库存地点： 内地
- 库存： 24
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 16.59970
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 质量：260.37mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：32W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：SuperFET® II
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：245
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.4 Ω @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 200μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：400pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9.6nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：800V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：2A
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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