简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STD2N80K5
- 价格 起订量
- ￥ 12.96412 1+
- ￥ 12.23030 10+
- ￥ 11.53802 100+
- ￥ 10.88492 500+
- ￥ 10.26879 1000+
- 型号： STD2N80K5
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 2200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 12.96412
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 质量：3.949996g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：45W Tc
- Turn Off Delay Time：19 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：SuperMESH5™
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 基本部件号：STD2N80
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.5 Ω @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：95pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3nC @ 10V
- 连续放电电流(ID)：2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：800V
- 高度：2.4mm
- 长度：6.6mm
- 宽度：6.2mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
STD2N80K5 STMicroelectronics
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies- STD3N80K5 STMicroelectronics
FCD2250N80Z ON Semiconductor
