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单MOSFET晶体管 / IRFS3207ZPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRFS3207ZPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：55 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2008
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：4.1MOhm
- 电压 - 额定直流：75V
- 额定电流：170A
- 功率耗散：300W
- 接通延迟时间：20 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.1m Ω @ 75A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 150μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6920pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：170nC @ 10V
- 上升时间：68ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：170A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：75V
- 双电源电压：75V
- 恢复时间：54 ns
- 栅源电压：4 V
- 高度：2.39mm
- 长度：6.73mm
- 宽度：6.22mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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