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单MOSFET晶体管 / NTMD4884NFR2G
- 价格 起订量
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- 型号： NTMD4884NFR2G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 220
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.3A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：770mW Ta
- Turn Off Delay Time：14 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：8
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.3W
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：48m Ω @ 4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：360pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4.2nC @ 4.5V
- 上升时间：6.5ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：1.4 ns
- 连续放电电流(ID)：5.7A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.3A
- 漏源击穿电压：30V
- 场效应管特性：Schottky Diode (Isolated)
- 反馈上限-最大值 (Crss)：42 pF
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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