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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IPB17N25S3100ATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 21.08663 1+
- ￥ 19.89305 10+
- ￥ 18.76703 100+
- ￥ 17.70474 500+
- ￥ 16.70259 1000+
- 型号： IPB17N25S3100ATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 21.08663
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：PG-TO263-3-2
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：107W Tc
- Turn Off Delay Time：7.5 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 54μA
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- 已出版：2012
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 功率耗散：107W
- 接通延迟时间：4.4 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：100mOhm @ 17A, 10V
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1500pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19nC @ 10V
- 上升时间：3.7ns
- 漏源电压 (Vdss)：250V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：1.2 ns
- 连续放电电流(ID)：17A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：250V
- 漏源击穿电压：250V
- 输入电容：1.133nF
- 最大结点温度（Tj）：175°C
- 漏源电阻：85mOhm
- 最大rds：100 mΩ
- 高度：4.7mm
- 长度：10mm
- 宽度：9.25mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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