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单MOSFET晶体管 / IRL3803LPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRL3803LPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 描述： MOSFET N-CH 30V 140A TO-262
- 库存地点： 内地
- 库存： 11350
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：140A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：3.8W Ta 200W Tc
- Turn Off Delay Time：29 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2004
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电压 - 额定直流：30V
- 额定电流：140A
- 功率耗散：200W
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6m Ω @ 71A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5000pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：140nC @ 4.5V
- 上升时间：230ns
- Vgs（最大值）：±16V
- 下降时间（典型值）：35 ns
- 连续放电电流(ID)：140A
- 栅极至源极电压(Vgs)：16V
- 漏源击穿电压：30V
- 栅源电压：1 V
- 高度：9.65mm
- 长度：10.668mm
- 宽度：4.826mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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