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单MOSFET晶体管 / FDB2670
- 价格 起订量
- ￥ 10.99641 1+
- ￥ 10.37397 10+
- ￥ 9.78677 100+
- ￥ 9.23280 500+
- ￥ 8.71019 1000+
- 型号： FDB2670
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 4059
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.99641
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 供应商器件包装：TO-263AB
- Power Dissipation (Max)：93W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：26 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A Ta
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-65°C~175°C TJ
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2001
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-65°C
- 电压 - 额定直流：200V
- 额定电流：19A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：93W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：130mOhm @ 10A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1320pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：38nC @ 10V
- 上升时间：5ns
- 漏源电压 (Vdss)：200V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：23 ns
- 连续放电电流(ID)：19A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：200V
- 输入电容：1.32nF
- 漏源电阻：130mOhm
- 最大rds：130 mΩ
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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