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单MOSFET晶体管 / FDG314P
- 价格 起订量
- ￥ 1.23997 1+
- ￥ 1.16978 10+
- ￥ 1.10357 100+
- ￥ 1.04110 500+
- ￥ 0.98217 1000+
- 型号： FDG314P
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 83121
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.23997
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- 供应商器件包装：SC-88 (SC-70-6)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：650mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.7V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：750mW Ta
- Turn Off Delay Time：55 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2000
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：-25V
- 额定电流：-650mA
- 功率耗散：750mW
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：63pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.5nC @ 4.5V
- 上升时间：8ns
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：8 ns
- 连续放电电流(ID)：650mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：-25V
- 输入电容：63pF
- 漏源电阻：1.1Ohm
- 最大rds：1.1 Ω
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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