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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDY102PZ
- 价格 起订量
- ￥ 1.91206 1+
- ￥ 1.80383 10+
- ￥ 1.70173 100+
- ￥ 1.60540 500+
- ￥ 1.51453 1000+
- 型号： FDY102PZ
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SC-89, SOT-490
- 描述： MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.91206
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-89, SOT-490
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：830mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：625mW Ta
- Turn Off Delay Time：23 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2010
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：500MOhm
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：625mW
- 接通延迟时间：3.5 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：500m Ω @ 830mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：135pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.1nC @ 4.5V
- 上升时间：2.9ns
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：2.9 ns
- 连续放电电流(ID)：830mA
- 阈值电压：-700mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：20V
- 高度：780μm
- 长度：1.7mm
- 宽度：980μm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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