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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDY1002PZ
- 价格 起订量
- ￥ 5.35178 1+
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- ￥ 4.76306 100+
- ￥ 4.49345 500+
- ￥ 4.23911 1000+
- 型号： FDY1002PZ
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 24000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.35178
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 引脚数：6
- 质量：32mg
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：23 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：500mOhm
- 最大功率耗散：446mW
- 终端形式：FLAT
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：625mW
- 接通延迟时间：3.5 ns
- 场效应管类型：2 P-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：500m Ω @ 830mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：135pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.1nC @ 4.5V
- 上升时间：2.9ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 下降时间（典型值）：2.9 ns
- 连续放电电流(ID)：830mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.83A
- 漏源击穿电压：20V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：600μm
- 长度：1.7mm
- 宽度：1.2mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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