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单MOSFET晶体管 / AUIRF6215STRL
- 价格 起订量
- ￥ 26.18179 1+
- ￥ 24.69980 10+
- ￥ 23.30170 100+
- ￥ 21.98273 500+
- ￥ 20.73843 1000+
- 型号： AUIRF6215STRL
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 2400
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 26.18179
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Tc
- Power Dissipation (Max)：3.8W Ta 110W Tc
- Turn Off Delay Time：53 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2015
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：雪崩 额定
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：3.8W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：290m Ω @ 6.6A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：860pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：66nC @ 10V
- 上升时间：36ns
- 漏源电压 (Vdss)：150V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：37 ns
- 连续放电电流(ID)：13A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.29Ohm
- 漏源击穿电压：-150V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：44A
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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