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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / SPI21N50C3XKSA1
- 价格 起订量
- ￥ 28.01316 1+
- ￥ 26.42751 10+
- ￥ 24.93161 100+
- ￥ 23.52039 500+
- ￥ 22.18905 1000+
- 型号： SPI21N50C3XKSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 描述： MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 28.01316
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：PG-TO262-3-1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：21A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：208W Tc
- Turn Off Delay Time：67 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3.9V @ 1mA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：CoolMOS™
- 已出版：2005
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：560V
- 额定电流：11.6A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：208W
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：190mOhm @ 13.1A, 10V
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2400pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：95nC @ 10V
- 上升时间：5ns
- 漏源电压 (Vdss)：560V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：4.5 ns
- 连续放电电流(ID)：21A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：500V
- 漏源击穿电压：500V
- 输入电容：2.4nF
- 漏源电阻：190mOhm
- 最大rds：190 mΩ
- 高度：9.45mm
- 长度：10.36mm
- 宽度：4.52mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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