图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / FCP130N60
- 价格 起订量
- ¥ 42.78180 1+
- ¥ 40.36019 10+
- ¥ 38.07565 100+
- ¥ 35.92043 500+
- ¥ 33.88719 1000+
- 型号: FCP130N60
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-220-3
- 描述: N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 28 A, 130 mO, TO-220
- 库存地点: 内地
- 库存: 1000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 42.78180
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间:12 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-220-3
- 质量:1.8g
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:28A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Number of Elements:1
- Power Dissipation (Max):278W Tc
- Turn Off Delay Time:65 ns
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tube
- 系列:SuperFET® II
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 电阻:130mOhm
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- JESD-30代码:R-PSFM-T3
- 通道数量:1
- 元素配置:Single
- 操作模式:增强型MOSFET
- 接通延迟时间:25 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- 晶体管应用:SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs:130m Ω @ 14A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:3590pF @ 380V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:70nC @ 10V
- 上升时间:16ns
- Vgs(最大值):±20V
- 下降时间(典型值):4 ns
- 连续放电电流(ID):28A
- JEDEC-95代码:TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs):30V
- 漏源击穿电压:600V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM):84A
- 雪崩能量等级(Eas):720 mJ
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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