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单MOSFET晶体管 / FDB0260N1007L
- 价格 起订量
- ￥ 69.97675 1+
- ￥ 66.01581 10+
- ￥ 62.27906 100+
- ￥ 58.75383 500+
- ￥ 55.42814 1000+
- 型号： FDB0260N1007L
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0260N1007L MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 VNew
- 库存地点： 内地
- 库存： 20000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 69.97675
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 引脚数：7
- 质量：1.312g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：200A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：3.8W Ta 250W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.6m Ω @ 27A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：8545pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：118nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：200A
- 阈值电压：2.8V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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