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单MOSFET晶体管 / STN1NF10
- 价格 起订量
- ￥ 2.47026 1+
- ￥ 2.33044 10+
- ￥ 2.19852 100+
- ￥ 2.07408 500+
- ￥ 1.95668 1000+
- 型号： STN1NF10
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 16
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.47026
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Tc
- Turn Off Delay Time：13 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：STripFET™ II
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：100V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：1A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：STN1N
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PDSO-G4
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：4 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：800m Ω @ 500mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：105pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6nC @ 10V
- 上升时间：5.5ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：6.5 ns
- 连续放电电流(ID)：500mA
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：1A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.8Ohm
- 漏源击穿电压：100V
- 高度：1.6mm
- 长度：6.7mm
- 宽度：3.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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