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单MOSFET晶体管 / STI21N65M5
- 价格 起订量
- ￥ 13.87318 1+
- ￥ 13.08790 10+
- ￥ 12.34708 100+
- ￥ 11.64819 500+
- ￥ 10.98886 1000+
- 型号： STI21N65M5
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 描述： MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh
- 库存地点： 内地
- 库存： 37
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 13.87318
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：125W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：MDmesh™ V
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 基本部件号：STI21N
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：125W
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：179m Ω @ 8.5A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1950pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：50nC @ 10V
- 上升时间：10ns
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：12 ns
- 连续放电电流(ID)：17A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.19Ohm
- 漏源击穿电压：650V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：68A
- 雪崩能量等级（Eas）：400 mJ
- 栅源电压：4 V
- 高度：10.75mm
- 长度：10.4mm
- 宽度：4.6mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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