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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STD12NF06LT4
- 价格 起订量
- ￥ 27.16939 1+
- ￥ 25.63150 10+
- ￥ 24.18066 100+
- ￥ 22.81194 500+
- ￥ 21.52070 1000+
- 型号： STD12NF06LT4
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 230
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 27.16939
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 质量：4.535924g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：42.8W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：STripFET™ II
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：100mOhm
- 电压 - 额定直流：60V
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：12A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：STD12
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：30W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：100m Ω @ 6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：350pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10nC @ 5V
- 上升时间：35ns
- Vgs（最大值）：±16V
- 下降时间（典型值）：13 ns
- 连续放电电流(ID)：12A
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：16V
- 漏源击穿电压：60V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：48A
- 双电源电压：60V
- 栅源电压：2 V
- 高度：2.4mm
- 长度：6.6mm
- 宽度：6.2mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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