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单MOSFET晶体管 / ZVN2106ASTZ
- 价格 起订量
- ￥ 6.44294 1+
- ￥ 6.07824 10+
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- ￥ 5.40961 500+
- ￥ 5.10341 1000+
- 型号： ZVN2106ASTZ
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： E-Line-3
- 描述： MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.44294
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：E-Line-3
- 引脚数：3
- 质量：453.59237mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：450mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：700mW Ta
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：2Ohm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：60V
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：450mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：700mW
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2 Ω @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：75pF @ 18V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：450mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.45A
- 漏源击穿电压：60V
- 高度：4.01mm
- 长度：4.77mm
- 宽度：2.41mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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