图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / BSD314SPEH6327XTSA1
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: BSD314SPEH6327XTSA1
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述: Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 332520
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:10 Weeks
- 触点镀层:Tin
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数:6
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:1.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):4.5V 10V
- Power Dissipation (Max):500mW Ta
- Turn Off Delay Time:12.4 ns
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 系列:OptiMOS™
- 已出版:2013
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:no
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 元素配置:Single
- 接通延迟时间:5.1 ns
- 场效应管类型:P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:140m Ω @ 1.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 6.3μA
- 无卤素:无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:294pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:2.9nC @ 10V
- 上升时间:3.9ns
- 漏源电压 (Vdss):30V
- Vgs(最大值):±20V
- 连续放电电流(ID):1.5A
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 最大双电源电压:-30V
- 高度:800μm
- 长度:2mm
- 宽度:1.25mm
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies
NTJS4160NT1G ON Semiconductor
MCH6661-TL-W ON Semiconductor
BSD316SNH6327XTSA1 Infineon Technologies
BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

