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单MOSFET晶体管 / IRFS7787TRLPBF
- 价格 起订量
- ￥ 9.12682 1+
- ￥ 8.61021 10+
- ￥ 8.12284 100+
- ￥ 7.66305 500+
- ￥ 7.22930 1000+
- 型号： IRFS7787TRLPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 44
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.12682
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 质量：3.949996g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：76A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：125W Tc
- Turn Off Delay Time：51 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®, StrongIRFET™
- 已出版：2009
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：11 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8.4m Ω @ 46A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4020pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：109nC @ 10V
- 上升时间：48ns
- 漏源电压 (Vdss)：75V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：39 ns
- 连续放电电流(ID)：76A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0084Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：280A
- DS 击穿电压-最小值：75V
- 雪崩能量等级（Eas）：209 mJ
- 高度：4.83mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：9.65mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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