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单MOSFET晶体管 / DMT3002LPS-13
- 价格 起订量
- ￥ 4.41701 1+
- ￥ 4.16699 10+
- ￥ 3.93112 100+
- ￥ 3.70861 500+
- ￥ 3.49869 1000+
- 型号： DMT3002LPS-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
- 库存地点： 内地
- 库存： 18000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.41701
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：24 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.2W Ta 136W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 已出版：2016
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.6m Ω @ 25A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5000pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：77nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±16V
- 连续放电电流(ID)：100A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0025Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：150A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 雪崩能量等级（Eas）：700 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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