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单MOSFET晶体管 / IRFS23N15DTRLP
- 价格 起订量
- ￥ 15.53662 1+
- ￥ 14.65719 10+
- ￥ 13.82754 100+
- ￥ 13.04485 500+
- ￥ 12.30646 1000+
- 型号： IRFS23N15DTRLP
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 154
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 15.53662
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5.5V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：18 ns
- Power Dissipation (Max)：3.8W Ta 136W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：23A Tc
- 已出版：2004
- 系列：HEXFET®
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：150V
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：23A
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：3.8W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：90m Ω @ 14A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1200pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：56nC @ 10V
- 上升时间：32ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：8.4 ns
- 连续放电电流(ID)：23A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.09Ohm
- 漏源击穿电压：150V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：92A
- 雪崩能量等级（Eas）：260 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 无铅：含铅
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