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单MOSFET晶体管 / VN10KN3-G-P014
- 价格 起订量
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- 型号： VN10KN3-G-P014
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 描述： MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 10000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 质量：453.59237mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：310mA Tj
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Box (TB)
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：O-PBCY-T3
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5 Ω @ 500mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：60pF @ 25V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±30V
- 连续放电电流(ID)：310mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏极-源极导通最大电阻：5Ohm
- DS 击穿电压-最小值：60V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：5 pF
- 高度：5.33mm
- 长度：5.21mm
- 宽度：4.19mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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