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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / 2N7000TA
- 价格 起订量
- ￥ 3.18111 1+
- ￥ 3.00104 10+
- ￥ 2.83117 100+
- ￥ 2.67092 500+
- ￥ 2.51974 1000+
- 型号： 2N7000TA
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 描述： MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
- 库存地点： 内地
- 库存： 1800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.18111
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：9 Weeks
- 触点镀层：Copper, Silver, Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 引脚数：3
- 制造商包装标识符：TO-92 3L
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：200mA Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：400mW Ta
- Turn Off Delay Time：10 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Box (TB)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：5Ohm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：60V
- 额定电流：200mA
- 基本部件号：2N7000
- 元素配置：Single
- 功率耗散：400mW
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5 Ω @ 500mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50pF @ 25V
- 上升时间：10ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：10 ns
- 连续放电电流(ID)：200mA
- 阈值电压：3.9V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.2A
- 漏源击穿电压：60V
- 高度：5.33mm
- 长度：5.2mm
- 宽度：4.19mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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