简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / HUF76639S3ST
- 价格 起订量
- ￥ 19.67224 1+
- ￥ 18.55872 10+
- ￥ 17.50823 100+
- ￥ 16.51719 500+
- ￥ 15.58226 1000+
- 型号： HUF76639S3ST
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
- 库存地点： 内地
- 库存： 589
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 19.67224
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 质量：1.31247g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：51A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：180W Tc
- Turn Off Delay Time：151 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：UltraFET™
- 已出版：2002
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：100V
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：50A
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：180W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：26m Ω @ 51A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2400pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：86nC @ 10V
- 上升时间：55ns
- Vgs（最大值）：±16V
- 下降时间（典型值）：110 ns
- 连续放电电流(ID)：51A
- 栅极至源极电压(Vgs)：16V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.027Ohm
- 漏源击穿电压：100V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
HUF76639S3ST ON Semiconductor- HUF75639S3ST ON Semiconductor
- HUFA75639S3ST ON Semiconductor
IPB47N10SL26ATMA1 Infineon Technologies- HUFA76639S3S ON Semiconductor
