图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / STH175N4F6-2AG
- 价格 起订量
- ¥ 16.67644 1+
- ¥ 15.73249 10+
- ¥ 14.84197 100+
- ¥ 14.00186 500+
- ¥ 13.20930 1000+
- 型号: STH175N4F6-2AG
- 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
- 库存地点: 内地
- 库存: 40
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 16.67644
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间:20 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数:3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:120A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Power Dissipation (Max):150W Tc
- Turn Off Delay Time:106 ns
- 操作温度:-55°C~175°C TJ
- 包装:Cut Tape (CT)
- 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 基本部件号:STH175
- 元素配置:Single
- 接通延迟时间:24 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4m Ω @ 60A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:7735pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:130nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss):40V
- Vgs(最大值):±20V
- 连续放电电流(ID):120A
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 高度:4.8mm
- 长度:10.4mm
- 宽度:9.17mm
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
STH175N4F6-2AG STMicroelectronics
FDB9406-F085 ON Semiconductor
IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies
IPB022N04LGATMA1 Infineon Technologies

