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单MOSFET晶体管 / IRFHM8326TRPBF
- 价格 起订量
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- ￥ 2.16532 500+
- ￥ 2.04275 1000+
- 型号： IRFHM8326TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 24000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.57893
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.8W Ta 37W Tc
- Turn Off Delay Time：18 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- JESD-30代码：S-PDSO-F5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.8W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.7m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2496pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：39nC @ 10V
- 上升时间：35ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：12 ns
- 连续放电电流(ID)：19A
- 阈值电压：1.7V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：70A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0067Ohm
- 漏源击穿电压：30V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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