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MOSFETs 晶体管阵列 / IRFHM8363TRPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRFHM8363TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerVDFN
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 4000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerVDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：12 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：2.7W
- 基本部件号：IRFHM8363PBF
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.7W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：14.9m Ω @ 10A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1165pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：15nC @ 10V
- 上升时间：94ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：33 ns
- 连续放电电流(ID)：11A
- 阈值电压：1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0149Ohm
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：116A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：1.8 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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