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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STS4DNFS30
- 价格 起订量
- ￥ 15.72810 1+
- ￥ 14.83783 10+
- ￥ 13.99796 100+
- ￥ 13.20562 500+
- ￥ 12.45813 1000+
- 型号： STS4DNFS30
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 15.72810
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Tc
- Turn Off Delay Time：15 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：STripFET™
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：镍钯金
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：STS4D
- 引脚数量：8
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：55m Ω @ 2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：330pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4.7nC @ 5V
- 上升时间：17ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：6 ns
- 连续放电电流(ID)：4.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：13A
- 场效应管特性：Schottky Diode (Isolated)
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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