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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / ZXMC3F31DN8TA
- 价格 起订量
- ￥ 7.77000 1+
- ￥ 7.33019 10+
- ￥ 6.91527 100+
- ￥ 6.52384 500+
- ￥ 6.15457 1000+
- 型号： ZXMC3F31DN8TA
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 33288
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.77000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.8A 4.9A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：30 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1.8W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：8
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.1W
- 接通延迟时间：1.9 ns
- 场效应管类型：N and P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：24m Ω @ 7A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：608pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12.9nC @ 10V
- 上升时间：3ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：21 ns
- 连续放电电流(ID)：4.9A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.7A
- 漏源击穿电压：-30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Logic Level Gate, 4.5V Drive
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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