简体中文
图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / IRF7316GTRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 10.76401 1+
- ￥ 10.15473 10+
- ￥ 9.57993 100+
- ￥ 9.03767 500+
- ￥ 8.52610 1000+
- 型号： IRF7316GTRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 2064
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.76401
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 供应商器件包装：8-SO
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.9A
- Turn Off Delay Time：34 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2009
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：2W
- 基本部件号：IRF7316GPBF
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：2W
- 接通延迟时间：13 ns
- 功率 - 最大：2W
- 场效应管类型：2 P-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：58mOhm @ 4.9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：710pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：34nC @ 10V
- 上升时间：20ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：48 ns
- 连续放电电流(ID)：4.9A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-30V
- 输入电容：710pF
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 漏源电阻：58mOhm
- 最大rds：58 mΩ
- 高度：1.4986mm
- 长度：4.9784mm
- 宽度：3.9878mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRF7316GTRPBF Infineon Technologies- IRF7406TRPBF Infineon Technologies
STS4DNFS30 STMicroelectronics- IRF7379TRPBF Infineon Technologies
- IRF7303QTRPBF Infineon Technologies
