简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STT6N3LLH6
- 价格 起订量
- ￥ 4.29691 1+
- ￥ 4.05369 10+
- ￥ 3.82423 100+
- ￥ 3.60777 500+
- ￥ 3.40355 1000+
- 型号： STT6N3LLH6
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6
- 描述： MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.29691
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6
- 引脚数：6
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：1.6W Tc
- Turn Off Delay Time：9.4 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：DeepGATE™, STripFET™ VI
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 基本部件号：STT6N
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1.6W
- 接通延迟时间：4.8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：25m Ω @ 3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：283pF @ 24V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.6nC @ 4.5V
- 上升时间：11.2ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5.4 ns
- 连续放电电流(ID)：6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：6A
- 漏源击穿电压：30V
- 高度：1.3mm
- 长度：3.05mm
- 宽度：1.75mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
STT6N3LLH6 STMicroelectronics
FDC8886 ON Semiconductor- FDC855N ON Semiconductor
- FDC655BN ON Semiconductor
DMN3026LVT-7 Diodes Incorporated
