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单MOSFET晶体管 / IPS65R1K4C6AKMA1
- 价格 起订量
- ￥ 7.79455 1+
- ￥ 7.35335 10+
- ￥ 6.93712 100+
- ￥ 6.54445 500+
- ￥ 6.17401 1000+
- 型号： IPS65R1K4C6AKMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Stub Leads, IPak
- 描述： Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(3 Tab) TO-251 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 20
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.79455
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Stub Leads, IPak
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：28W Tc
- Turn Off Delay Time：33 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：CoolMOS™
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：no
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 功率耗散：28W
- 接通延迟时间：7.7 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.4 Ω @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 100μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：225pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10.5nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：3.2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：650V
- 高度：6.22mm
- 长度：6.73mm
- 宽度：2.39mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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