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单MOSFET晶体管 / DMT6015LSS-13
- 价格 起订量
- ¥ 7.27491 1+
- ¥ 6.86313 10+
- ¥ 6.47465 100+
- ¥ 6.10816 500+
- ¥ 5.76241 1000+
- 型号: DMT6015LSS-13
- 厂商: Diodes Incorporated
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
- 库存地点: 内地
- 库存: 9200
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 7.27491
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:23 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数:8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:9.2A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):4.5V 10V
- Power Dissipation (Max):1.5W Ta
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2016
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:16m Ω @ 10A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:1103pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:18.9nC @ 30V
- 漏源电压 (Vdss):60V
- Vgs(最大值):±16V
- 连续放电电流(ID):9.2A
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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