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单MOSFET晶体管 / MVGSF1N02LT1G
- 价格 起订量
- ￥ 5.82225 1+
- ￥ 5.49269 10+
- ￥ 5.18178 100+
- ￥ 4.88848 500+
- ￥ 4.61177 1000+
- 型号： MVGSF1N02LT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 88888
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.82225
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：30 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：750mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：400mW Ta
- Turn Off Delay Time：16 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：1997
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：400mW
- 接通延迟时间：2.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：90m Ω @ 1.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：125pF @ 5V
- 上升时间：1ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：8 ns
- 连续放电电流(ID)：750mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.75A
- 漏源击穿电压：20V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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