简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NTR1P02T1G
- 价格 起订量
- ￥ 3.12551 1+
- ￥ 2.94859 10+
- ￥ 2.78169 100+
- ￥ 2.62424 500+
- ￥ 2.47569 1000+
- 型号： NTR1P02T1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.12551
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：400mW Ta
- Turn Off Delay Time：9 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：148MOhm
- 电压 - 额定直流：-20V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-1A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：400mW
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：180m Ω @ 1.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：165pF @ 5V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：2.5nC @ 5V
- 上升时间：9ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：9 ns
- 连续放电电流(ID)：1A
- 阈值电压：-1.9V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：1A
- 漏源击穿电压：-20V
- 栅源电压：-1.9 V
- 高度：940μm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
NTR1P02T1G ON Semiconductor
NTR1P02LT1G ON Semiconductor
DMG2301U-7 Diodes Incorporated- MGSF1N02LT1G ON Semiconductor
- NVTR01P02LT1G ON Semiconductor
