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单MOSFET晶体管 / MGSF1N02LT1G
- 价格 起订量
- ￥ 3.13483 1+
- ￥ 2.95738 10+
- ￥ 2.78998 100+
- ￥ 2.63206 500+
- ￥ 2.48308 1000+
- 型号： MGSF1N02LT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 33930
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.13483
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)
- 工厂交货时间：11 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：750mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：400mW Ta
- Turn Off Delay Time：16 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：90MOhm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：20V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：750mA
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：400mW
- 接通延迟时间：2.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：90m Ω @ 1.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：125pF @ 5V
- 上升时间：1ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：1 ns
- 连续放电电流(ID)：750mA
- 阈值电压：1.7V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.75A
- 漏源击穿电压：20V
- 栅源电压：1.7 V
- 高度：1.01mm
- 长度：3.04mm
- 宽度：1.4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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