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单MOSFET晶体管 / FCH041N65EF-F155
- 价格 起订量
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- 型号： FCH041N65EF-F155
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： MOSFET N-CH 650V 76A TO247
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：6.39g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：76A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：595W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：FRFET®, SuperFET® II
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 元素配置：Single
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：41m Ω @ 38A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 7.6mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：12560pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：298nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：650V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：76A
- 阈值电压：5V
- 场效应管特性：超级交界处
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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