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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDMC86324
- 价格 起订量
- ￥ 15.76772 1+
- ￥ 14.87521 10+
- ￥ 14.03321 100+
- ￥ 13.23888 500+
- ￥ 12.48951 1000+
- 型号： FDMC86324
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 130
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 15.76772
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 质量：32.13mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Ta 20A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.3W Ta 41W Tc
- Turn Off Delay Time：14 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium (Ni/Pd)
- 端子位置：DUAL
- JESD-30代码：S-PDSO-N5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：41W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：23m Ω @ 7A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：965pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：18nC @ 10V
- 上升时间：4ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：4 ns
- 连续放电电流(ID)：7A
- 阈值电压：3.1V
- JEDEC-95代码：MO-240BA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.023Ohm
- 漏源击穿电压：80V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：30A
- 雪崩能量等级（Eas）：72 mJ
- 高度：1.05mm
- 长度：3.3mm
- 宽度：3.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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