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单MOSFET晶体管 / STFI24NM60N
- 价格 起订量
- ￥ 26.17440 1+
- ￥ 24.69283 10+
- ￥ 23.29512 100+
- ￥ 21.97653 500+
- ￥ 20.73258 1000+
- 型号： STFI24NM60N
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Full Pack, I2Pak
- 描述： MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A MDmesh II
- 库存地点： 内地
- 库存： 1475
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 26.17440
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Full Pack, I2Pak
- 引脚数：3
- Power Dissipation (Max)：30W Tc
- Turn Off Delay Time：73 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：MDmesh™ II
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：不适用
- ECCN 代码：EAR99
- 基本部件号：STFI24N
- 功率耗散：30W
- 接通延迟时间：11.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：190m Ω @ 8A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1400pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：46nC @ 10V
- 上升时间：16.5ns
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：37 ns
- 连续放电电流(ID)：17A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：650V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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