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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FQA13N80-F109
- 价格 起订量
- ￥ 41.52170 1+
- ￥ 39.17141 10+
- ￥ 36.95416 100+
- ￥ 34.86242 500+
- ￥ 32.88907 1000+
- 型号： FQA13N80-F109
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-3P-3, SC-65-3
- 描述： MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
- 库存地点： 内地
- 库存： 1170
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 41.52170
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-3P-3, SC-65-3
- 引脚数：3
- 质量：6.401g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：155 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Number of Elements：1
- 系列：QFET®
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2007
- 无铅代码：yes
- 零件状态：ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：300W
- 接通延迟时间：60 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：750m Ω @ 6.3A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3500pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：88nC @ 10V
- 上升时间：150ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：110 ns
- 连续放电电流(ID)：12.6A
- 阈值电压：5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.75Ohm
- 漏源击穿电压：800V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：50.4A
- 高度：18.9mm
- 长度：15.8mm
- 宽度：5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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