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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FCD5N60TM-WS
- 价格 起订量
- ￥ 11.80206 1+
- ￥ 11.13402 10+
- ￥ 10.50379 100+
- ￥ 9.90924 500+
- ￥ 9.34834 1000+
- 型号： FCD5N60TM-WS
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 28000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.80206
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 质量：260.37mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：54W Tc
- Turn Off Delay Time：47 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：SuperFET™
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 基本部件号：FCD5N60
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：54W
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：950m Ω @ 2.3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：600pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：16nC @ 10V
- 上升时间：40ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：22 ns
- 连续放电电流(ID)：4.6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：600V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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