简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRF6218PBF
- 价格 起订量
- ￥ 24.64227 1+
- ￥ 23.24742 10+
- ￥ 21.93153 100+
- ￥ 20.69012 500+
- ￥ 19.51898 1000+
- 型号： IRF6218PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -150V; RDS(ON) 120 Milliohms; ID -27A; TO-220AB; PD 250W
- 库存地点： 内地
- 库存： 1
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 24.64227
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-220AB
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：27A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：250W Tc
- Turn Off Delay Time：35 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2003
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：-150V
- 额定电流：-27A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：250W
- 接通延迟时间：21 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：150mOhm @ 16A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2210pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：110nC @ 10V
- 上升时间：70ns
- 漏源电压 (Vdss)：150V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：30 ns
- 连续放电电流(ID)：-27A
- 阈值电压：-5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-150V
- 双电源电压：-150V
- 输入电容：2.21nF
- 漏源电阻：150mOhm
- 最大rds：150 mΩ
- 栅源电压：-5 V
- 高度：15.24mm
- 长度：10.5156mm
- 宽度：4.69mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRF6218PBF Infineon Technologies
FDP2572 ON Semiconductor- IRFB5615PBF Infineon Technologies
- IRF3415PBF Infineon Technologies
- IRFB4615PBF Infineon Technologies
