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单MOSFET晶体管 / IRF7769L1TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 44.74704 1+
- ￥ 42.21419 10+
- ￥ 39.82470 100+
- ￥ 37.57048 500+
- ￥ 35.44384 1000+
- 型号： IRF7769L1TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： DirectFET™ Isometric L8
- 描述： MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 8000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 44.74704
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：DirectFET™ Isometric L8
- 引脚数：15
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Ta 124A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.3W Ta 125W Tc
- Turn Off Delay Time：92 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：9
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：BOTTOM
- JESD-30代码：R-XBCC-N3
- 配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：3.3W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：44 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.5m Ω @ 74A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：11560pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：300nC @ 10V
- 上升时间：32ns
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：41 ns
- 连续放电电流(ID)：124A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：375A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0035Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：500A
- 雪崩能量等级（Eas）：260 mJ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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