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单MOSFET晶体管 / ZVP4525GTA
- 价格 起订量
- ￥ 7.18312 1+
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- ￥ 6.39295 100+
- ￥ 6.03109 500+
- ￥ 5.68970 1000+
- 型号： ZVP4525GTA
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： ZVP4525GTA**MULT1^2868^0534426
- 库存地点： 内地
- 库存： 81
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.18312
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：4
- 质量：7.994566mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：3.5V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：265mA Ta
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2V @ 1mA
- Turn Off Delay Time：17.5 ns
- Power Dissipation (Max)：2W Ta
- 已出版：2001
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：14Ohm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：低阈值
- 电压 - 额定直流：-250V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-265mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：1.53 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：14 Ω @ 200mA, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：73pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.45nC @ 10V
- 上升时间：3.78ns
- 漏源电压 (Vdss)：250V
- Vgs（最大值）：±40V
- 下降时间（典型值）：7.85 ns
- 连续放电电流(ID)：265mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：40V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.265A
- 高度：1.65mm
- 长度：6.7mm
- 宽度：3.7mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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