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单MOSFET晶体管 / ZXMN10A07ZTA
- 价格 起订量
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- ￥ 4.58258 1000+
- 型号： ZXMN10A07ZTA
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-243AA
- 描述： Trans MOSFET N-CH 100V 1.4A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 20000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.78540
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-243AA
- 引脚数：3
- 质量：130.492855mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.5W Ta
- Turn Off Delay Time：4.1 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：700mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：低阈值
- 电压 - 额定直流：100V
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：700mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.6W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：1.8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：700m Ω @ 1.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：138pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：2.9nC @ 10V
- 上升时间：1.5ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：2.1 ns
- 连续放电电流(ID)：1.4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：1A
- 漏源击穿电压：100V
- 高度：1.6mm
- 长度：4.6mm
- 宽度：2.6mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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